Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel display device that allows improving reliability.SOLUTION: A display device has an insulating layer provided between a first wiring line and a second wiring line, and the insulating layer has a first insulating layer and a second insulating layer provided so as to be overlapped with the first insulating layer. The insulating layer has a region where a part of the second insulating layer is removed, and the region functions as a protective circuit. Moreover, the display device has the first insulating layer and the second insulating layer in a region where the insulating layer and a semiconductor layer included in a transistor are overlapped. Further, the display device has a region where the first insulating layer and the second insulating layer are removed in a region where the first wiring line and the second wiring line are directly connected.
【課題】信頼性を向上しうる、新規な表示装置を提供する。 【解決手段】第1の配線と第2の配線との間に設けられた絶縁層を有し、絶縁層は、第1の絶縁層、及び第1の絶縁層に重畳して設けられた第2の絶縁層を有し、絶縁層は、第2の絶縁層の一部が除去された領域を有し、該領域は保護回路として機能する表示装置とする。また、絶縁層とトランジスタが有する半導体層とが重畳する領域では、第1の絶縁層及び第2の絶縁層を有する表示装置とする。また、第1の配線と第2の配線とを直接接続する領域では、第1の絶縁層及び第2の絶縁層が除去された領域を有する表示装置とする。 【選択図】図2
【課題】信頼性を向上しうる、新規な表示装置を提供する。【解決手段】第1の配線と第2の配線との間に設けられた絶縁層を有し、絶縁層は、第1の絶縁層、及び第1の絶縁層に重畳して設けられた第2の絶縁層を有し、絶縁層は、第2の絶縁層の一部が除去された領域を有し、該領域は保護回路として機能する表示装置とする。また、絶縁層とトランジスタが有する半導体層とが重畳する領域では、第1の絶縁層及び第2の絶縁層を有する表示装置とする。また、第1の配線と第2の配線とを直接接続する領域では、第1の絶縁層及び第2の絶縁層が除去された領域を有する表示装置とする。【選択図】図2

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (7)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2004126513-AApril 22, 2004Semiconductor Energy Lab Co Ltd, 株式会社半導体エネルギー研究所Semiconductor device
    JP-2006060191-AMarch 02, 2006Seiko Epson Corp, セイコーエプソン株式会社薄膜半導体装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器
    JP-2010041042-AFebruary 18, 2010Semiconductor Energy Lab Co Ltd, 株式会社半導体エネルギー研究所半導体装置
    JP-2010171394-AAugust 05, 2010Semiconductor Energy Lab Co Ltd, 株式会社半導体エネルギー研究所論理回路及び半導体装置
    JP-2011181918-ASeptember 15, 2011Semiconductor Energy Lab Co Ltd, 株式会社半導体エネルギー研究所電界効果トランジスタおよび半導体装置
    JP-2012216780-ANovember 08, 2012Ricoh Co Ltd, 株式会社リコーp型酸化物、p型酸化物製造用組成物、p型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム
    WO-2012121255-A1September 13, 2012ルネサスエレクトロニクス株式会社Dispositif à semi-conducteur

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (1)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    WO-2016181261-A1November 17, 2016株式会社半導体エネルギー研究所Display device, display module, and electronic device