半導体基板の評価方法及び半導体基板の評価装置

Method and device for evaluating semiconductor substrate

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and a device for evaluating a semiconductor element, capable of easily and quickly measuring oxide film breakdown voltage distribution without using a device for forming a CVD film, a photolithography step, and an etching step.SOLUTION: A method for evaluating a semiconductor substrate by evaluating insulation characteristics of an oxide film formed on the semiconductor substrate comprises the steps of: forming an oxide film on a surface of the semiconductor substrate; removing the oxide film formed on a rear surface of the semiconductor substrate; holding the semiconductor substrate on which the oxide film is formed on a substrate holding base connected to an ammeter; and relatively moving the semiconductor substrate with respect to a corona charge in a horizontal direction while applying the corona charge from above the oxide film and measuring the current flowing through the oxide film at each point of the semiconductor substrate with the ammeter.
【課題】 CVD膜を形成するための装置やフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程を用いることなく、簡便かつ迅速な酸化膜耐圧分布の測定を行うことができる半導体素子の評価方法及び評価装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板上に形成した酸化膜の絶縁特性を評価することで前記半導体基板の評価を行う半導体基板の評価方法であって、前記半導体基板表面に酸化膜を形成する工程と、前記半導体基板の裏面に形成された前記酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜を形成した半導体基板を電流計に接続された基板保持台の上に保持する工程と、前記酸化膜の上からコロナチャージを印加しながら、前記半導体基板を前記コロナチャージに対して相対的に水平方向に移動させつつ、前記半導体基板の各点において前記酸化膜を通じて流れる電流を前記電流計で測定する工程とを有することを特徴とする半導体基板の評価方法。 【選択図】 図1
【課題】 CVD膜を形成するための装置やフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程を用いることなく、簡便かつ迅速な酸化膜耐圧分布の測定を行うことができる半導体素子の評価方法及び評価装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板上に形成した酸化膜の絶縁特性を評価することで前記半導体基板の評価を行う半導体基板の評価方法であって、前記半導体基板表面に酸化膜を形成する工程と、前記半導体基板の裏面に形成された前記酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜を形成した半導体基板を電流計に接続された基板保持台の上に保持する工程と、前記酸化膜の上からコロナチャージを印加しながら、前記半導体基板を前記コロナチャージに対して相対的に水平方向に移動させつつ、前記半導体基板の各点において前記酸化膜を通じて流れる電流を前記電流計で測定する工程とを有することを特徴とする半導体基板の評価方法。【選択図】 図1

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